当前，重庆深入实施创新驱动发展战略，围绕“203060”重点攻坚突破体系，持续深化“416”科技创新布局与“33618”现代制造业集群体系协同融合，加快建设具有全国影响力的科技创新中心。作为重庆集成电路领域的重要创新力量，北京大学重庆碳基集成电路研究院聚焦碳基集成电路前沿技术，持续加强关键技术攻关和创新成果积累。近日，研究院4项发明专利获国家知识产权局授权，进一步充实研究院自主知识产权储备，为相关技术研发和成果应用提供支撑。

7月6日，张志勇院长在重庆市创新强市建设专家座谈会建言。 6月25日，研究院与宜昌伍家岗区人民政府、武汉纳为科技签署战略协议。

7月6日上午，市委召开创新强市建设专家座谈会。市委书记袁家军主持会议并讲话，强调要深入学习贯彻党的二十大和二十届历次全会精神，深学笃行习近平总书记关于科技创新的重要论述和视察重庆重要讲话重要指示精神，坚持创新驱动发展，扎实推动“十五五”时期重庆全面转入创新发展轨道，为奋力谱写中国式现代化重庆篇章注入强劲动力。市委副书记陈新武，市领导刘尚进、马震、郑向东出席。

6月14日，北京大学重庆碳基集成电路研究院第一届理事会第四次全体会议在渝顺利召开。 研究院理事长、中国科学院院士、北京大学电子学院院长彭练矛，市科技局党委副书记许志鹏，西部科学城重庆高新区党工委委员、管委会副主任张炎与各理事单位代表参会。会议系统总结研究院过去一年的建设成果，各位理事高度认可研究院发展成效，同时围绕研究院下一阶段工作规划深入交流研讨，为研究院的发展提供建设性的意见。

5月25日，在国际电路系统研讨会ISCAS 2026上华为何庭波发表署名论文《A Time Scaling Theory for Multi-Layer Electronic Systems》，论文指出：过去60年，以“几何缩微”为驱动力的摩尔定律已难以为继。在3nm节点之后，光刻逼近物理极限，AI算力芯片的设计费用超过10亿美元，单个晶体管的成本不再下降。未来十年，芯片进步不再单纯靠“把晶体管做得更小”，而是靠 “在多层电子系统中更极致地压缩时间”—从皮秒级的晶体管开关到秒级的数据中心工作负载响应，每一个环节的特征时间常数τ都将被系统性缩减。韬(τ)定律时代，碳基三维集成电路正从实验室走向工程化，展现出前所未有的战略机遇。它不仅是材料科学的突破，更是实现τ缩微、打破AI算力能效瓶颈的关键技术路径。

5月21日，以“新西部、新制造、新服务”为主题的第八届中国西部国际投资贸易洽谈会在重庆国际博览中心隆重举行。北京大学重庆碳基集成电路研究院作为重庆市科技创新的重要科技平台受邀参会，出席大会开幕式，成果同步亮相重庆馆主会场、西部（重庆）科学城展台，集中展示碳基芯片领域关键技术攻关与成果转化成效，以科技创新赋能西部制造业高质量发展。